Dettagli:
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Materiale: | Silicio | pacchetto: | DO-41 |
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trr: | 50ns | Tensione di andata massima: | 1.25V |
Max. Forward Current: | 1A | Tensione inversa massima: | 600V |
Evidenziare: | mur160 diodo 1a 400v,MUR120 diodo 1a 200v,MUR160 diodo 1a 600v |
SIMBOLI | MUR 105 | MUR 110 | MUR 120 | MUR 140 | MUR 160 | MUR 180 | MUR 1100 | UNITÀ | |
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Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLT |
Tensione massima di RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | VOLT |
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLT |
La media massima in avanti ha rettificato 0,375" corrente lunghezza del cavo (di 9.5mm) a TA=75℃ | IO (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | Amp | ||||||
Semionda sinusoidale di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC) | IFSM | 30 | Amp | ||||||
Tensione di andata istantanea massima a 6.0A | VF | 0,95 | 1,25 | 1,65 | Volt | ||||
Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC a tensione di didascalia stimata di CC TA=100℃10 | IR | 5,0 50,0 | µA | ||||||
Tempo di recupero inverso massimo (NOTA 1) | trr | 25 | 50 | 75 | NS | ||||
Capacità di giunzione tipica (NOTA 2) | CJ | 25,0 | PF | ||||||
Resistenza termica tipica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - +150 | ℃ |
Disegno del prodotto
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398